纳米压印光刻技术现状与未来：2022年SPIE会议论文分析

报告摘要

本文介绍了纳米压印光刻（NIL）在半导体制造中的最新进展，重点包括混合匹配套刻精度（MMO）达3.4nm、单机套刻精度（SMO）2.5nm，以及吞吐量提升。由佳能等机构专家撰写，为纳米压印技术量产提供关键数据支持。