半导体行业系列报告（一）：射频通信大显身手，功率器件后来居上，氮化镓领跑第三代半导体

本报告深入分析氮化镓（GaN）在射频和功率领域的应用前景，指出GaN将逐步替代LDMOS，预计2025年射频市场渗透率达50%。在消费电子领域率先突破，中高压领域有望后来居上。低成本（1000V以下约1美金）和1200V外延片突破是核心亮点。核心数据:2025年50%渗透率;1000V以下1美金成本;1200V外延片。

本报告由平安证券发布,发布于 2021 年。

覆盖 2021 年,全文约 41。

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适合投资者、通信行业从业者、半导体行业从业者等读者参考。

重点分析了管理咨询、半导体、系列等议题。