半导体行业系列报告（一）：射频通信大显身手，功率器件后来居上，氮化镓领跑第三代半导体

报告摘要

本报告深入分析氮化镓（GaN）在射频和功率领域的应用前景，指出GaN将逐步替代LDMOS，预计2025年射频市场渗透率达50%。在消费电子领域率先突破，中高压领域有望后来居上。低成本（1000V以下约1美金）和1200V外延片突破是核心亮点。