2021年前道设备再迎新黄金时代,国产替代机遇与核心受益标的深度分析
中国大陆Fab密集扩产叠加5G/IoT/AI新技术驱动,2021年前道设备市场规模超2000亿元。光刻/刻蚀/CVD三大设备分别达640/770/610亿元,国产化率<10%,替代空间巨大。北方华创、中微公司等核心受益,技术突破至14nm先进制程。
中国大陆Fab密集扩产叠加5G/IoT/AI新技术驱动,2021年前道设备市场规模超2000亿元。光刻/刻蚀/CVD三大设备分别达640/770/610亿元,国产化率<10%,替代空间巨大。北方华创、中微公司等核心受益,技术突破至14nm先进制程。
中国大陆Fab密集扩产叠加5G/IoT/AI新技术驱动,2021年前道设备市场规模超2000亿元。光刻/刻蚀/CVD三大设备分别达640/770/610亿元,国产化率<10%,替代空间巨大。北方华创、中微公司等核心受益,技术突破至14nm先进制程。
中国大陆Fab密集扩产叠加5G/IoT/AI新技术驱动,2021年前道设备市场规模超2000亿元。光刻/刻蚀/CVD三大设备分别达640/770/610亿元,国产化率<10%,替代空间巨大。北方华创、中微公司等核心受益,技术突破至14nm先进制程。核心数据:640亿元;770亿元;610亿元。
本报告由华西证券发布,发布于 2021 年。
覆盖 2021 年,全文约 139。
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适合机构投资者、半导体从业者、研究员等读者参考。
重点分析了管理咨询、核心受益标、替代机遇等议题。