第三代半导体政策红利分析：碳化硅衬底市场爆发，新能源汽车驱动百亿增量

报告摘要

第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在高温、高压、高功率领域优势显著，新能源汽车为SiC最大下游。据Yole数据，SiC功率器件市场规模将从2018年4亿美元增至2027年172亿美元，CAGR约51%；碳化硅衬底市场从1.21亿美元增至2024年11亿美元，CAGR 44%。国内厂商如天科合达、露笑科技等积极布局，全产业链自主可控。投资建议关注设备、衬底、外延及器件环节。

📋 核心要点(部分)

1. 核心观点
2. 国内厂商布局
3. 投资建议
4. 风险分析