摩根士丹利深度报告：中国SiC半导体发展进展与关键玩家分析

报告摘要

摩根士丹利发布中国半导体行业深度报告，聚焦SiC（碳化硅）发展。报告指出SiC衬底生产难度大，晶体生长速度比硅慢100-200倍。中国企业在SiC外延和模组领域有望追赶，但衬底仍具挑战。适合投资者和行业人士了解中国SiC产业链机遇。