新型存储技术报告：算力需求驱动HBM、PCM、MRAM及存算一体发展-方正证券2023

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报告摘要

算力需求井喷，新型存储技术突破存储墙与工艺极限。HBM以TSV工艺实现高带宽低功耗，PCM突破2nm物理极限，存算一体预计2025年达125亿元，MRAM有望取代SRAM缓存。方正证券深度解析产业趋势与国内产业链机遇。

算力需求井喷，新型存储技术突破存储墙与工艺极限。HBM以TSV工艺实现高带宽低功耗，PCM突破2nm物理极限，存算一体预计2025年达125亿元，MRAM有望取代SRAM缓存。方正证券深度解析产业趋势与国内产业链机遇。核心数据:125亿元;1136亿元。

本报告由方正证券发布,发布于 2023 年。

覆盖 2023 年。

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适合电子行业投资者、技术研究人员、算力相关从业者等读者参考。

重点分析了管理咨询、MRAM、方正证券、HBM等议题。