英诺赛科(2577.HK)全球氮化镓龙头，产业进入快速成长期-250412-财通证券
英诺赛科是全球领先的第三代半导体氮化 镓功率器件 IDM 厂商，专注于 8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延与器件的 公司掌握从外延生长、芯片设计、晶圆制造到封装
报告摘要
英诺赛科是全球领先的第三代半导体氮化 镓功率器件 IDM 厂商，专注于 8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延与器件的 公司掌握从外延生长、芯片设计、晶圆制造到封装
核心要点
- 40.60
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- 8 英寸 GaN-on-Si 量产技术与 IDM 模式构筑核心制造与成本壁垒。
- 2024 年，意法半导体为基石投资者参与公司
- 2024 年公司海外收入同比增长 118.1%，占比达到 15.3%。
- 13.49/22.88/37.36 亿元，归母净利润分别为-5.54/-0.83/4.93 亿元，对应 2027 年
报告信息
- 文件全名
- 《英诺赛科(2577.HK)全球氮化镓龙头，产业进入快速成长期-250412-财通证券-35页.pdf》
- 适合读者
- 核心数据
- 公司在全球率先实现 8 英寸 GaN-onSi 大规模量产，2024 年集团整体良率已超过 95%。
- 场份额从 7%大幅提升至 31%。
- 亿元，2019-2023 年 CAGR 达 88.5%。
- GaN 产业步入高速增长阶段，下游应用多点开花。
- 60%用于进一步扩大 GaN 产能，约 20%用于研发及扩大公司产品组合，约 10%
- 核心议题
常见问题
《英诺赛科(2577.HK)全球氮化镓龙头，产业进入快速成长期-250412-财通证券》主要包含哪些内容?
英诺赛科是全球领先的第三代半导体氮化 镓功率器件 IDM 厂商，专注于 8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延与器件的 公司掌握从外延生长、芯片设计、晶圆制造到封装核心数据:公司在全球率先实现 8 英寸 GaN-onSi 大规模量产，2024 年集团整体良率已超过 95%。;场份额从 7%大幅提升至 31%。;亿元，2019-2023 年 CAGR 达 88.5%。。
这份报告由哪家机构发布?
本报告由财通证券发布,发布于 2025 年。
这份报告覆盖哪一年、篇幅多大?
覆盖 2025 年,全文共 35 页。
这份报告是免费的吗?如何获取?
本报告免费查阅,登录资料宝后即可在线获取完整内容。
这份报告适合哪些读者?
适合投资人、行业研究员等读者参考。
报告涉及哪些关键议题?
重点分析了IPO、股权等议题。
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