英诺赛科(02577.HK)深度研究报告:氮化镓功率半导体龙头,引领三代半能源革命新风向-250529-华创证券
2025-04储能39免费
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- 《英诺赛科(02577.HK)深度研究报告:氮化镓功率半导体龙头,引领三代半能源革命新风向-250529-华创证券-39页.pdf》
- 🎯 适合读者
- 战略规划行业研究员
- 📊 核心数据
- 业电源等核心场景,2023 年以 42.4%市占率位居全球 GaN 分立器件出货量第
- 核心应用场景,有望受益各下游应用中 GaN 渗透带来的业绩增长。
- 2、 非消费类 GaN 应用驱动规模高速增长,竞争格局高度集中 .......................... 15
- 接近工艺极限,高效能需求驱动氮化镓等第三代半导体高速增长。
- 动终端功率提升,GaN 方案较硅基体积缩小 70%,有望受益于快充小型化、
- 🏷️ 核心议题
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