瑞银最新报告指出，DRAM涨价周期仍具韧性，预计2018年第二季度DRAM混合均价环比上涨4%，第三季度仅下降2%。然而，行业已接近自然天花板，DRAM成本占笔记本电脑物料成本的8%、智能手机的14%。同时NAND闪存价格下行加速，二季度环比下降9%。报告深入分析了积极因素（服务器需求强劲，DRAM库存控制良好）与消极因素（供应增长加速，三星16nm量产缓慢）。适合半导体投资者、电子行业分析师、科技公司战略人员等人士，把握存储器周期拐点机会。
瑞银最新报告指出，DRAM涨价周期仍具韧性，预计2018年第二季度DRAM混合均价环比上涨4%，第三季度仅下降2%。然而，行业已接近自然天花板，DRAM成本占笔记本电脑物料成本的8%、智能手机的14%。同时NAND闪存价格下行加速，二季度环比下降9%。报告深入分析了积极因素（服务器需求强劲，DRAM库存控制良好）与消极因素（供应增长加速，三星16nm量产缓慢）。适合半导体投资者、电子行业分析师、科技公司战略人员等人士，把握存储器周期拐点机会。核心数据:DRAM ASP 2Q18环比+4%;3Q18环比-2%;服务器DRAM bit需求2018年增长41.6%。
本报告由瑞银集团发布,发布于 2018 年。
覆盖 2018 年,全文约 24。
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适合半导体投资者、科技行业分析师、存储行业从业者、基金经理等读者参考。
重点分析了金融投资、半导体存储、DRAM、UBS等议题。