电子行业：4F2%2bCBA是国产DRAM大趋势-251130-中泰证券

2025-12电子元器件42免费

📄 文件全名: 《电子行业：4F2%2bCBA是国产DRAM大趋势-251130-中泰证券-42页.pdf》
🎯 适合读者: 战略规划行业研究员
📊 核心数据: 4F²方案作为通向3D DRAM新路径，采用垂直晶体管构建，预计0a节点后量产，有望大幅提升DRAM存储密度，解决现有
n 4F²优势：1）有效节约面积：4F²架构单元面积较6F²架构缩减约30%；
3）大幅减少漏电干扰：4F²字元线与位元线的垂直连接较传统架构减少60%电力干扰；
Yole预测未来CBA技术有望引入DRAM迭代路径，
🏷️ 核心议题: #电容

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报告摘要

王芳 S0740521120002，杨旭 S0740521120001，康丽侠S0740525040001 DRAM存在迭代瓶颈，4F²方案提供新路径。随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺面临诸多瓶颈，如工艺完整性、漏电、干

📋 核心要点(部分)

1、DRAM制程微缩面临瓶颈，4F²架构创新推动新发展
1.1 DRAM长期靠制程微缩提升存储密度
1.2 DRAM制程微缩瓶颈凸显
1.3 4F²存储单元架构创新助力DRAM密度再次提升
2、NAND已使用CBA工艺，4F² DRAM使用CBA的趋势已凸显
3、DRAM大厂积极推进4F²，海力士使用了类CBA技术
4、投资建议

❓ 常见问题

《电子行业：4F2%2bCBA是国产DRAM大趋势-251130-中泰证券》主要包含哪些内容?

王芳 S0740521120002，杨旭 S0740521120001，康丽侠S0740525040001 DRAM存在迭代瓶颈，4F²方案提供新路径。随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺面临诸多瓶颈，如工艺完整性、漏电、干核心数据:4F²方案作为通向3D DRAM新路径，采用垂直晶体管构建，预计0a节点后量产，有望大幅提升DRAM存储密度，解决现有;n 4F²优势：1）有效节约面积：4F²架构单元面积较6F²架构缩减约30%；;3）大幅减少漏电干扰：4F²字元线与位元线的垂直连接较传统架构减少60%电力干扰；。

这份报告覆盖哪一年、篇幅多大?

覆盖 2025 年,全文约 42。

这份报告是免费的吗?如何获取?

本报告免费查阅,登录资料宝后即可在线获取完整内容。

这份报告适合哪些读者?

适合战略规划、行业研究员等读者参考。

报告涉及哪些关键议题?

重点分析了电容等议题。