聚焦北方华创(002371)平台化半导体设备龙头,受益于下游资本开支扩张&国产化率提升。2)存储端:2024 年全球 NAND/DRAM 存储器市场中,我国长江存储&长鑫存储市占率分别仅为 5/5%,后续仍待突破,报告预计 2026 年长江存储与长鑫存储合计新增 10–12 万片/月产能,重点聚焦于 3D NAND 与 HBM 制程,投资总额有望达 155–180 亿美元。1)逻辑端:中芯国际自 2023 年起产能利用率稳步提升,2025Q3 已升至 95.8%;国内厂商先进逻辑工艺陆续突破,有望加速落地先进制程产能。报告预计 2025 年半导体设备国产化率提升至 22%,其中刻蚀、清洗、CMP 等环节已实现阶段性突破,光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等高端环节国产化率仍低于 25%,替代空间广阔。
聚焦北方华创(002371)平台化半导体设备龙头,受益于下游资本开支扩张&国产化率提升。2)存储端:2024 年全球 NAND/DRAM 存储器市场中,我国长江存储&长鑫存储市占率分别仅为 5/5%,后续仍待突破,报告预计 2026 年长江存储与长鑫存储合计新增 10–12 万片/月产能,重点聚焦于 3D NAND 与 HBM 制程,投资总额有望达 155–180 亿美元。1)逻辑端:中芯国际自 2023 年起产能利用率稳步提升,2025Q3 已升至 95.8%;国内厂商先进逻辑工艺陆续突破,有望加速落地先进制程产能。报告预计 2025 年半导体设备国产化率提升至 22%,其中刻蚀、清洗、CMP 等环节已实现阶段性突破,光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等高端环节国产化率仍低于 25%,替代空间广阔。
聚焦北方华创(002371)平台化半导体设备龙头,受益于下游资本开支扩张&国产化率提升。2)存储端:2024 年全球 NAND/DRAM 存储器市场中,我国长江存储&长鑫存储市占率分别仅为 5/5%,后续仍待突破,报告预计 2026 年长江存储与长鑫存储合计新增 10–12 万片/月产能,重点聚焦于 3D NAND 与 HBM 制程,投资总额有望达 155–180 亿美元。1)逻辑端:中芯国际自 2023 年起产能利用率稳步提升,2025Q3 已升至 95.8%;国内厂商先进逻辑工艺陆续突破,有望加速落地先进制程产能。报告预计 2025 年半导体设备国产化率提升至 22%,其中刻蚀、清洗、CMP 等环节已实现阶段性突破,光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等高端环节国产化率仍低于 25%,替代空间广阔。核心数据:2)存储端:2024 年全球 NAND/DRAM 存储器市场中,我国长江存储&长鑫存储市占率分别仅为 5/5%,后续仍待突破,报告预计 2026 年长江存储与长鑫存储合计新增 10–12 万片/月产能,重点聚焦于 3D NAND 与 HBM 制程,投资总额有望达 155–180 亿美元;1)逻辑端:中芯国际自 2023 年起产能利用率稳步提升,2025Q3 已升至 95.8%;报告预计 2025 年半导体设备国产化率提升至 22%,其中刻蚀、清洗、CMP 等环节已实现阶段性突破,光刻、薄膜沉积、检测、涂胶显影等高端环节国产化率仍低于 25%,替代空间广阔。
本报告由东吴证券发布,发布于 2026 年。
覆盖 2026 年,全文共 45 页。
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适合战略规划、产品经理等读者参考。
重点分析了半导体、国产化、设备、北方华创等议题。