聚焦2026年度半导体设备行业策略:看好存储&先进逻辑扩产,设备商国产化迎新机遇-260227-东吴证券-58页页。先进逻辑端,FinFET向GAA/CFET演进,5nm及以下制程单位产能设备投资额显著提升,单万片/月产能投资额较28nm提升数倍;存储端,HBM带动DRAM高阶制程升级,3D NAND向400层以上堆叠演进,单万片产能投资额同步提升。多重曝光、先进金属材料替代及新型结构引入,使设备数量与工艺复杂度同步提升,设备投资呈现“技术节点越先进、单位投资越高”的乘数效应,核心平台型设备商与细分龙头有望持续受益。测算显示半导体设备整体国产化率已由2017年的13%提升至2024年的20%,预计2025年达22%,仍具备广阔提升空间。
聚焦2026年度半导体设备行业策略:看好存储&先进逻辑扩产,设备商国产化迎新机遇-260227-东吴证券-58页页。先进逻辑端,FinFET向GAA/CFET演进,5nm及以下制程单位产能设备投资额显著提升,单万片/月产能投资额较28nm提升数倍;存储端,HBM带动DRAM高阶制程升级,3D NAND向400层以上堆叠演进,单万片产能投资额同步提升。多重曝光、先进金属材料替代及新型结构引入,使设备数量与工艺复杂度同步提升,设备投资呈现“技术节点越先进、单位投资越高”的乘数效应,核心平台型设备商与细分龙头有望持续受益。测算显示半导体设备整体国产化率已由2017年的13%提升至2024年的20%,预计2025年达22%,仍具备广阔提升空间。
聚焦2026年度半导体设备行业策略:看好存储&先进逻辑扩产,设备商国产化迎新机遇-260227-东吴证券-58页页。先进逻辑端,FinFET向GAA/CFET演进,5nm及以下制程单位产能设备投资额显著提升,单万片/月产能投资额较28nm提升数倍;存储端,HBM带动DRAM高阶制程升级,3D NAND向400层以上堆叠演进,单万片产能投资额同步提升。多重曝光、先进金属材料替代及新型结构引入,使设备数量与工艺复杂度同步提升,设备投资呈现“技术节点越先进、单位投资越高”的乘数效应,核心平台型设备商与细分龙头有望持续受益。测算显示半导体设备整体国产化率已由2017年的13%提升至2024年的20%,预计2025年达22%,仍具备广阔提升空间。核心数据:测算显示半导体设备整体国产化率已由2017年的13%提升至2024年的20%,预计2025年达22%,仍具备广阔提升空间;美国、荷兰、日本持续强化对14nm及以下先进制程设备出口限制,中国大陆作为全球最大设备需求市场,进口依赖度较高的涂胶显影、清洗、量检测、光刻等环节国产化率仍低于25%。
本报告由东吴证券发布,发布于 2026 年。
覆盖 2026 年,全文共 58 页。
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适合战略规划、产品经理等读者参考。
重点分析了半导体、国产化、设备、政策等议题。