聚焦电子行业专题研究:算力瓶颈加速突破,HBM确立算力时代核心中枢地位。HBM 需求持续高景气,2026 年在先进制程中的投片占比预计提升至 35%,HBM4 位宽升级至 2048bit、单栈带宽迈向 2TB/s,叠加 H200 实现4.8TB/s 带宽与 141GB 容量,高带宽与高集成优势持续放大单卡价值量与系统算效,HBM 正由“配套存储”升级为决定算力上限的核心环节;技术壁垒叠加产能爬坡,产业链盈利弹性与集中度有望同步提升。当前 HBM 良率约 50%-60%、生产周期长达两个季度,三大原厂主导格局下 2025-2026 年高端产能持续紧平衡,在代际升级与供给约束双重作用下,HBM 业绩有望在 2026 年前后进一步释放。
聚焦电子行业专题研究:算力瓶颈加速突破,HBM确立算力时代核心中枢地位。HBM 需求持续高景气,2026 年在先进制程中的投片占比预计提升至 35%,HBM4 位宽升级至 2048bit、单栈带宽迈向 2TB/s,叠加 H200 实现4.8TB/s 带宽与 141GB 容量,高带宽与高集成优势持续放大单卡价值量与系统算效,HBM 正由“配套存储”升级为决定算力上限的核心环节;技术壁垒叠加产能爬坡,产业链盈利弹性与集中度有望同步提升。当前 HBM 良率约 50%-60%、生产周期长达两个季度,三大原厂主导格局下 2025-2026 年高端产能持续紧平衡,在代际升级与供给约束双重作用下,HBM 业绩有望在 2026 年前后进一步释放。
聚焦电子行业专题研究:算力瓶颈加速突破,HBM确立算力时代核心中枢地位。HBM 需求持续高景气,2026 年在先进制程中的投片占比预计提升至 35%,HBM4 位宽升级至 2048bit、单栈带宽迈向 2TB/s,叠加 H200 实现4.8TB/s 带宽与 141GB 容量,高带宽与高集成优势持续放大单卡价值量与系统算效,HBM 正由“配套存储”升级为决定算力上限的核心环节;技术壁垒叠加产能爬坡,产业链盈利弹性与集中度有望同步提升。当前 HBM 良率约 50%-60%、生产周期长达两个季度,三大原厂主导格局下 2025-2026 年高端产能持续紧平衡,在代际升级与供给约束双重作用下,HBM 业绩有望在 2026 年前后进一步释放。核心数据:HBM 需求持续高景气,2026 年在先进制程中的投片占比预计提升至 35%,HBM4 位宽升级至 2048bit、单栈带宽迈向 2TB/s,叠加 H200 实现4.8TB/s 带宽与 141GB 容量,高带宽与高集成优势持续放大单卡价值量与系统算效,HBM 正由“配套存储”升级为决定算力上限的核心环节;当前 HBM 良率约 50%-60%、生产周期长达两个季度,三大原厂主导格局下 2025-2026 年高端产能持续紧平衡,在代际升级与供给约束双重作用下,HBM 业绩有望在 2026 年前后进一步释放;受 2025 年全球 AI 基础设施持续扩张驱动,HBM 市场规模预计突破 250 亿美元,2025Q2 三大原厂合计占据全球 DRAM 约94%份额,其中 HBM 领域出货集中度更高,2025Q2 SK 海力士出货占比约 62%,在供给紧平衡与库存偏紧背景下,HBM 价格中枢维持高位,成为拉动存储行业进入新一轮上行周期的关键变量。
本报告由东方财富证券发布,发布于 2026 年。
覆盖 2026 年,全文约 31。
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适合战略规划、产品经理、行业研究员等读者参考。
重点分析了电子、算力、GPU、AI等议题。