聚焦SK海力士(000660.KS)这个周期完全不同,首予买入。上行周期或至少持续至 1报告认为全球存储行业或正在经历本世纪以来最强一轮上行周期,报告认为 DRAM 和 NAND 供不应求程度上强于之前周期,并认为存储器价格至少在 1Q27 之前继续保持高位。HBM 竞争优势或持续,传统 DRAM 或已在 1b 制程之后技术领先:报告认为 AI 加速器需求持续上升和数据中心周期性设备更新或是驱动 HBM 和传统 DRAM 需求上升的主要动力。NAND 需求受存储架构调整或持续保持强劲:报告认为英伟达 Vera Rubin提出的新存储架构2026年或同比提高单位GPU 80% NAND配置需求,为驱动数据中心 NAND 需求上涨的重要因素。
聚焦SK海力士(000660.KS)这个周期完全不同,首予买入。上行周期或至少持续至 1报告认为全球存储行业或正在经历本世纪以来最强一轮上行周期,报告认为 DRAM 和 NAND 供不应求程度上强于之前周期,并认为存储器价格至少在 1Q27 之前继续保持高位。HBM 竞争优势或持续,传统 DRAM 或已在 1b 制程之后技术领先:报告认为 AI 加速器需求持续上升和数据中心周期性设备更新或是驱动 HBM 和传统 DRAM 需求上升的主要动力。NAND 需求受存储架构调整或持续保持强劲:报告认为英伟达 Vera Rubin提出的新存储架构2026年或同比提高单位GPU 80% NAND配置需求,为驱动数据中心 NAND 需求上涨的重要因素。
聚焦SK海力士(000660.KS)这个周期完全不同,首予买入。上行周期或至少持续至 1报告认为全球存储行业或正在经历本世纪以来最强一轮上行周期,报告认为 DRAM 和 NAND 供不应求程度上强于之前周期,并认为存储器价格至少在 1Q27 之前继续保持高位。HBM 竞争优势或持续,传统 DRAM 或已在 1b 制程之后技术领先:报告认为 AI 加速器需求持续上升和数据中心周期性设备更新或是驱动 HBM 和传统 DRAM 需求上升的主要动力。NAND 需求受存储架构调整或持续保持强劲:报告认为英伟达 Vera Rubin提出的新存储架构2026年或同比提高单位GPU 80% NAND配置需求,为驱动数据中心 NAND 需求上涨的重要因素。核心数据:NAND 需求受存储架构调整或持续保持强劲:报告认为英伟达 Vera Rubin提出的新存储架构2026年或同比提高单位GPU 80% NAND配置需求,为驱动数据中心 NAND 需求上涨的重要因素;我们预测 SK 海力士 2026 年 HBM 市占率或为 52%;随着 1c 制程上线和 M15X 工厂投产上量,我们预测公司2026 年DRAM(含HBM)比特产能同比上升22%。
本报告由交银国际发布,发布于 2026 年。
覆盖 2026 年,全文共 62 页。
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适合战略规划、产品经理、行业研究员等读者参考。
重点分析了收入、SK海力士、000660.KS、这个周期完全不同等议题。