聚焦电子行业:AI芯片高热流时代来临,散热需求升级驱动金刚石材料进入爆发期。散热问题是当前制约英伟达 Rubin 架构及更高代际芯片量产的重要卡点,散热方案可行性及产业落地进度有望成为Rubin系列GPU量产的重要观察窗口。无盖板(Lidless)结构则是将散热衬底与芯片进行压接或键合,结构上简化了其中1层TIM和散热盖板,简化为3层路径,该设计有望显著降低界面间热阻。单卡功耗提升叠加更小制程导致芯片热流密度急速上升,英伟达GB200热峰值功耗已达到2000W以上,未来 Rubin架构芯片等高端GPU热流密度迈向500W/cm2。
聚焦电子行业:AI芯片高热流时代来临,散热需求升级驱动金刚石材料进入爆发期。散热问题是当前制约英伟达 Rubin 架构及更高代际芯片量产的重要卡点,散热方案可行性及产业落地进度有望成为Rubin系列GPU量产的重要观察窗口。无盖板(Lidless)结构则是将散热衬底与芯片进行压接或键合,结构上简化了其中1层TIM和散热盖板,简化为3层路径,该设计有望显著降低界面间热阻。单卡功耗提升叠加更小制程导致芯片热流密度急速上升,英伟达GB200热峰值功耗已达到2000W以上,未来 Rubin架构芯片等高端GPU热流密度迈向500W/cm2。
聚焦电子行业:AI芯片高热流时代来临,散热需求升级驱动金刚石材料进入爆发期。散热问题是当前制约英伟达 Rubin 架构及更高代际芯片量产的重要卡点,散热方案可行性及产业落地进度有望成为Rubin系列GPU量产的重要观察窗口。无盖板(Lidless)结构则是将散热衬底与芯片进行压接或键合,结构上简化了其中1层TIM和散热盖板,简化为3层路径,该设计有望显著降低界面间热阻。单卡功耗提升叠加更小制程导致芯片热流密度急速上升,英伟达GB200热峰值功耗已达到2000W以上,未来 Rubin架构芯片等高端GPU热流密度迈向500W/cm2。核心数据:约为14×10−6/K,而硅基芯片热膨胀系数约为2-3×10−6/K,二者相差约6倍。
本报告由中泰证券发布,发布于 2026 年。
覆盖 2026 年。
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适合战略规划、产品经理、行业研究员等读者参考。
重点分析了AI、材料、电子、芯片等议题。