聚焦半导体行业深度报告:功率密度跃升驱动800V+DC架构升级,宽禁带功率器件打开成长空间。报告认为 800V DC 架构的本质变化,是将传统机柜内 PSU 承担的 AC/DC 与 DC/DC 功能解耦:AC/DC 被移至独立的侧边柜;计算机柜内仅保留靠近负载的 DC/DC降压环节。分阶段看:➢ 第一阶段中功率器件增量主要集中于 PFC、LLC 和 BBU:英飞凌30kW PFC 单模块含 12 颗 1200V SiC 与 6 颗 650V GaN,折算 1MW约 612 颗;ROHM 全 SiC 方案约 372—600 颗/MW。Navitas 10kW LLC 单模块采用 4 颗 650V GaN 与 16 颗 100V GaN;瑞萨高压 BBU双向 DC/DC 则包含 8 个 650V GaN 基础开关位。
聚焦半导体行业深度报告:功率密度跃升驱动800V+DC架构升级,宽禁带功率器件打开成长空间。报告认为 800V DC 架构的本质变化,是将传统机柜内 PSU 承担的 AC/DC 与 DC/DC 功能解耦:AC/DC 被移至独立的侧边柜;计算机柜内仅保留靠近负载的 DC/DC降压环节。分阶段看:➢ 第一阶段中功率器件增量主要集中于 PFC、LLC 和 BBU:英飞凌30kW PFC 单模块含 12 颗 1200V SiC 与 6 颗 650V GaN,折算 1MW约 612 颗;ROHM 全 SiC 方案约 372—600 颗/MW。Navitas 10kW LLC 单模块采用 4 颗 650V GaN 与 16 颗 100V GaN;瑞萨高压 BBU双向 DC/DC 则包含 8 个 650V GaN 基础开关位。
聚焦半导体行业深度报告:功率密度跃升驱动800V+DC架构升级,宽禁带功率器件打开成长空间。报告认为 800V DC 架构的本质变化,是将传统机柜内 PSU 承担的 AC/DC 与 DC/DC 功能解耦:AC/DC 被移至独立的侧边柜;计算机柜内仅保留靠近负载的 DC/DC降压环节。分阶段看:➢ 第一阶段中功率器件增量主要集中于 PFC、LLC 和 BBU:英飞凌30kW PFC 单模块含 12 颗 1200V SiC 与 6 颗 650V GaN,折算 1MW约 612 颗;ROHM 全 SiC 方案约 372—600 颗/MW。Navitas 10kW LLC 单模块采用 4 颗 650V GaN 与 16 颗 100V GaN;瑞萨高压 BBU双向 DC/DC 则包含 8 个 650V GaN 基础开关位。核心数据:分阶段看:➢ 第一阶段中功率器件增量主要集中于 PFC、LLC 和 BBU:英飞凌30kW PFC 单模块含 12 颗 1200V SiC 与 6 颗 650V GaN,折算 1MW约 612 颗。
本报告由东吴证券发布,发布于 2026 年。
覆盖 2026 年。
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适合战略规划、产品经理、行业研究员等读者参考。
重点分析了半导体、数据中心、AI、电能等议题。