聚焦产业赛道投资图谱:存储芯片,AI重塑需求结构,结构性紧平衡支撑高景气延续。核心结论:报告认为,本轮存储景气改善并非单一终端补库驱动,而是需求结构变化、供给扩张趋于理性以及产业链库存周期修复共同作用的结果。HBM3/3E,在 HBM 产品领域市场占有率为 83%(2024 年)未来发展趋势 1. 产品持续进行代际更迭:DDR5 渗透率预计持续提升,DDR6 等新产品未来有望推出;Kioxia 指出,3D Flash 通过纵向堆叠存储单元提升单位面积容量;其第 8 代 BiCS FLASH 采用 218 层堆叠和CBA 架构,第 10 代 BiCS FLASH 进一步提升至 332 层,并通过 CBA 和 OPS 技术实现 4.8Gb/s接口速率、位密度提升 59%。
聚焦产业赛道投资图谱:存储芯片,AI重塑需求结构,结构性紧平衡支撑高景气延续。核心结论:报告认为,本轮存储景气改善并非单一终端补库驱动,而是需求结构变化、供给扩张趋于理性以及产业链库存周期修复共同作用的结果。HBM3/3E,在 HBM 产品领域市场占有率为 83%(2024 年)未来发展趋势 1. 产品持续进行代际更迭:DDR5 渗透率预计持续提升,DDR6 等新产品未来有望推出;Kioxia 指出,3D Flash 通过纵向堆叠存储单元提升单位面积容量;其第 8 代 BiCS FLASH 采用 218 层堆叠和CBA 架构,第 10 代 BiCS FLASH 进一步提升至 332 层,并通过 CBA 和 OPS 技术实现 4.8Gb/s接口速率、位密度提升 59%。
聚焦产业赛道投资图谱:存储芯片,AI重塑需求结构,结构性紧平衡支撑高景气延续。核心结论:报告认为,本轮存储景气改善并非单一终端补库驱动,而是需求结构变化、供给扩张趋于理性以及产业链库存周期修复共同作用的结果。HBM3/3E,在 HBM 产品领域市场占有率为 83%(2024 年)未来发展趋势 1. 产品持续进行代际更迭:DDR5 渗透率预计持续提升,DDR6 等新产品未来有望推出;Kioxia 指出,3D Flash 通过纵向堆叠存储单元提升单位面积容量;其第 8 代 BiCS FLASH 采用 218 层堆叠和CBA 架构,第 10 代 BiCS FLASH 进一步提升至 332 层,并通过 CBA 和 OPS 技术实现 4.8Gb/s接口速率、位密度提升 59%。核心数据:HBM3/3E,在 HBM 产品领域市场占有率为 83%(2024 年)未来发展趋势 1. 产品持续进行代际更迭:DDR5 渗透率预计持续提升,DDR6 等新产品未来有望推出;其第 8 代 BiCS FLASH 采用 218 层堆叠和CBA 架构,第 10 代 BiCS FLASH 进一步提升至 332 层,并通过 CBA 和 OPS 技术实现 4.8Gb/s接口速率、位密度提升 59%;占2024年全球 DRAM市场的 5%(按出货量)。
本报告由天风证券发布,发布于 2026 年。
覆盖 2026 年。
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适合战略规划、产品经理、行业研究员等读者参考。
重点分析了AI、芯片、产业赛道投资图谱等议题。