聚焦电子行业点评报告:存储涨价持续兑现,原厂业绩验证景气上行。三季度价格展望乐观,外资行预测普遍高于产业机构:TrendForce 预计三季度传统 DRAM 合约价环比上涨 13%~18%、NAND 合约价环比上涨10%~15%;Morgan Stanley、UBS 等外资行预测 DRAM 涨幅可达20%~32%,美银、高盛对 NAND 涨幅的预测亦高于产业机构。投资建议:存储涨价周期持续兑现,AI 服务器与 HBM 需求挤占先进DRAM 产能,原厂以长协锁定供给、供需缺口中期内难以缓解,建议重点关注:1)受益于存储涨价的原厂及模组厂;2)HBM 与先进制程产能紧张带来的产业链配套机会;3)企业级 SSD、接口芯片等需求弹性较大的细分环节。
聚焦电子行业点评报告:存储涨价持续兑现,原厂业绩验证景气上行。三季度价格展望乐观,外资行预测普遍高于产业机构:TrendForce 预计三季度传统 DRAM 合约价环比上涨 13%~18%、NAND 合约价环比上涨10%~15%;Morgan Stanley、UBS 等外资行预测 DRAM 涨幅可达20%~32%,美银、高盛对 NAND 涨幅的预测亦高于产业机构。投资建议:存储涨价周期持续兑现,AI 服务器与 HBM 需求挤占先进DRAM 产能,原厂以长协锁定供给、供需缺口中期内难以缓解,建议重点关注:1)受益于存储涨价的原厂及模组厂;2)HBM 与先进制程产能紧张带来的产业链配套机会;3)企业级 SSD、接口芯片等需求弹性较大的细分环节。
聚焦电子行业点评报告:存储涨价持续兑现,原厂业绩验证景气上行。三季度价格展望乐观,外资行预测普遍高于产业机构:TrendForce 预计三季度传统 DRAM 合约价环比上涨 13%~18%、NAND 合约价环比上涨10%~15%;Morgan Stanley、UBS 等外资行预测 DRAM 涨幅可达20%~32%,美银、高盛对 NAND 涨幅的预测亦高于产业机构。投资建议:存储涨价周期持续兑现,AI 服务器与 HBM 需求挤占先进DRAM 产能,原厂以长协锁定供给、供需缺口中期内难以缓解,建议重点关注:1)受益于存储涨价的原厂及模组厂;2)HBM 与先进制程产能紧张带来的产业链配套机会;3)企业级 SSD、接口芯片等需求弹性较大的细分环节。核心数据:三季度价格展望乐观,外资行预测普遍高于产业机构:TrendForce 预计三季度传统 DRAM 合约价环比上涨 13%~18%、NAND 合约价环比上涨10%~15%;Morgan Stanley、UBS 等外资行预测 DRAM 涨幅可达20%~32%,美银、高盛对 NAND 涨幅的预测亦高于产业机构;存储价格二季度集中补涨,DRAM 现货强势延续至 7 月:二季度 DRAM合约价集中补涨,服务器 RDIMM、PC DIMM 及移动 LPDDR5 均价环比分别上涨约 57%、52%和 67%,DDR5 16Gb 合约价环比上涨约 53%。
本报告由东吴证券发布,发布于 2026 年。
覆盖 2026 年。
本报告为付费报告,可在资料宝站内下单后获取完整内容。
适合战略规划、产品经理、行业研究员等读者参考。
重点分析了电子、电子行业点评报告等议题。