聚焦半导体行业深度跟踪:海外资本开支持续上行,自主可控产业链加速放量。建设,并加速 HBM4、DDR5、SOCAMM2 等高附加值产品布局;2美光将FY2026 资本支出进一步上修至约 270 亿美元,并预计 FY27 资本开支继续明显提升,增量中过半来自厂房和洁净室建设,设备支出预计也将同比增长;3 SK 海力士 2026 年资本开支预计达到 40 万亿韩元区间高位,主要用于 M15X量产、龙仁一期洁净室建设以及 P&T7 先进封装厂、M17 NAND 生产基地等项目。2预计全球 300mm 3D NAND 晶圆厂设备投资同比增长 28%至 140 亿美元,重点用于高层数制程升级及企业级 SSD 相关产能建设。
聚焦半导体行业深度跟踪:海外资本开支持续上行,自主可控产业链加速放量。建设,并加速 HBM4、DDR5、SOCAMM2 等高附加值产品布局;2美光将FY2026 资本支出进一步上修至约 270 亿美元,并预计 FY27 资本开支继续明显提升,增量中过半来自厂房和洁净室建设,设备支出预计也将同比增长;3 SK 海力士 2026 年资本开支预计达到 40 万亿韩元区间高位,主要用于 M15X量产、龙仁一期洁净室建设以及 P&T7 先进封装厂、M17 NAND 生产基地等项目。2预计全球 300mm 3D NAND 晶圆厂设备投资同比增长 28%至 140 亿美元,重点用于高层数制程升级及企业级 SSD 相关产能建设。
聚焦半导体行业深度跟踪:海外资本开支持续上行,自主可控产业链加速放量。建设,并加速 HBM4、DDR5、SOCAMM2 等高附加值产品布局;2美光将FY2026 资本支出进一步上修至约 270 亿美元,并预计 FY27 资本开支继续明显提升,增量中过半来自厂房和洁净室建设,设备支出预计也将同比增长;3 SK 海力士 2026 年资本开支预计达到 40 万亿韩元区间高位,主要用于 M15X量产、龙仁一期洁净室建设以及 P&T7 先进封装厂、M17 NAND 生产基地等项目。2预计全球 300mm 3D NAND 晶圆厂设备投资同比增长 28%至 140 亿美元,重点用于高层数制程升级及企业级 SSD 相关产能建设。核心数据:2美光将FY2026 资本支出进一步上修至约 270 亿美元,并预计 FY27 资本开支继续明显提升,增量中过半来自厂房和洁净室建设,设备支出预计也将同比增长;3 SK 海力士 2026 年资本开支预计达到 40 万亿韩元区间高位,主要用于 M15X量产、龙仁一期洁净室建设以及 P&T7 先进封装厂、M17 NAND 生产基地等项目;2预计全球 300mm 3D NAND 晶圆厂设备投资同比增长 28%至 140 亿美元,重点用于高层数制程升级及企业级 SSD 相关产能建设。
本报告由招商证券发布,发布于 2026 年。
覆盖 2026 年。
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适合战略规划、产品经理、行业研究员等读者参考。
重点分析了产业链、半导体、AI、晶圆等议题。