J.P. Morgan最新全球内存市场报告显示，2018年市场规模将达1600亿美元（同比增33%），其中DRAM增长44%，NAND增长16%。但DRAM价格在最长反弹后将于2019年进入下行周期，预计整体市场收缩12%，ASPs降幅超30%；NAND市场因供应过剩而持续疲软，但跌幅相对温和。报告深入分析了季度动量变化、修正后的capex预测及2020年展望，为投资者提供关键转折点判断。适合半导体行业分析师、基金经理、科技投资者及存储器产业链从业者，助您把握周期底部布局机会。
J.P. Morgan最新全球内存市场报告显示，2018年市场规模将达1600亿美元（同比增33%），其中DRAM增长44%，NAND增长16%。但DRAM价格在最长反弹后将于2019年进入下行周期，预计整体市场收缩12%，ASPs降幅超30%；NAND市场因供应过剩而持续疲软，但跌幅相对温和。报告深入分析了季度动量变化、修正后的capex预测及2020年展望，为投资者提供关键转折点判断。适合半导体行业分析师、基金经理、科技投资者及存储器产业链从业者，助您把握周期底部布局机会。
J.P. Morgan最新全球内存市场报告显示，2018年市场规模将达1600亿美元（同比增33%），其中DRAM增长44%，NAND增长16%。但DRAM价格在最长反弹后将于2019年进入下行周期，预计整体市场收缩12%，ASPs降幅超30%；NAND市场因供应过剩而持续疲软，但跌幅相对温和。报告深入分析了季度动量变化、修正后的capex预测及2020年展望，为投资者提供关键转折点判断。适合半导体行业分析师、基金经理、科技投资者及存储器产业链从业者，助您把握周期底部布局机会。核心数据:2018年全球内存市场1600亿美元;DRAM增长44%;NAND增长16%。
本报告由J.P. Morgan发布,发布于 2018 年。
覆盖 2018 年,全文约 23。
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适合半导体投资者、行业分析师、基金经理、科技产业研究员等读者参考。
重点分析了金融投资、Morgan、DRAM、幅度小等议题。