2019年功率半导体行业深度报告：IGBT与MOSFET器件高端化，SiC与GaN材料先进化趋势

报告摘要

长江证券发布《电子设备、仪器和元件行业：从器件类型与材料性能看功率半导体未来前景》深度报告。当前全球功率器件市场规模接近200亿美元，预计2023年达221亿美元。报告指出，功率半导体正从普通二极管向高性能IGBT、MOSFET跨越，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代化合物半导体将突破硅基极限，全面提升器件性能。国内厂商在IGBT、中高压MOSFET等高端器件领域国产替代空间巨大，三安光电、扬杰科技、闻泰科技等标的值得关注。适合半导体行业投资人、电子设备制造商、新能源车企采购、研究员阅读。

📋 核心要点(部分)

1. 从器件类型与材料性能看功率半导体未来前景
2. 功率半导体：关注IGBT与MOSFET
3. IGBT性能优越应用范围逐步扩大
4. IGBT行业基本情况介绍