长江证券发布《电子设备、仪器和元件行业：从器件类型与材料性能看功率半导体未来前景》深度报告。当前全球功率器件市场规模接近200亿美元，预计2023年达221亿美元。报告指出，功率半导体正从普通二极管向高性能IGBT、MOSFET跨越，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代化合物半导体将突破硅基极限，全面提升器件性能。国内厂商在IGBT、中高压MOSFET等高端器件领域国产替代空间巨大，三安光电、扬杰科技、闻泰科技等标的值得关注。适合半导体行业投资人、电子设备制造商、新能源车企采购、研究员阅读。
长江证券发布《电子设备、仪器和元件行业：从器件类型与材料性能看功率半导体未来前景》深度报告。当前全球功率器件市场规模接近200亿美元，预计2023年达221亿美元。报告指出，功率半导体正从普通二极管向高性能IGBT、MOSFET跨越，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代化合物半导体将突破硅基极限，全面提升器件性能。国内厂商在IGBT、中高压MOSFET等高端器件领域国产替代空间巨大，三安光电、扬杰科技、闻泰科技等标的值得关注。适合半导体行业投资人、电子设备制造商、新能源车企采购、研究员阅读。
长江证券发布《电子设备、仪器和元件行业：从器件类型与材料性能看功率半导体未来前景》深度报告。当前全球功率器件市场规模接近200亿美元，预计2023年达221亿美元。报告指出，功率半导体正从普通二极管向高性能IGBT、MOSFET跨越，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代化合物半导体将突破硅基极限，全面提升器件性能。国内厂商在IGBT、中高压MOSFET等高端器件领域国产替代空间巨大，三安光电、扬杰科技、闻泰科技等标的值得关注。适合半导体行业投资人、电子设备制造商、新能源车企采购、研究员阅读。核心数据:全球功率器件市场规模200亿美元;预计2023年达221亿美元;SiC适用1200V以上高温大电力领域。
本报告由长江证券发布,发布于 2019 年。
覆盖 2019 年,全文约 35。
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适合半导体行业投资人、电子设备制造商、新能源汽车企业、券商研究员等读者参考。
重点分析了金融投资、MOSFET、器件高端化、材料先进化等议题。