第三代半导体产业深度分析：碳化硅氮化镓成本对比与未来趋势（国泰君安）

报告摘要

报告分析第三代半导体（碳化硅、氮化镓）与硅器件的成本优势，专家预计碳化硅成本1.5-2倍于硅，2023-2025年形成竞争格局。特斯拉Model 3中SiC MOSFET替代IGBT具备经济性（成本约1.6倍），全生命周期有优势。机构观点更乐观，认为5年内系统成本将低于硅基。

📋 核心要点(部分)

1. 专家核心观点
2. 机构观点
3. Model3中SiC MOSFET对IGBT替代分析