电子元件行业深度:半导体国产化攻坚,中芯国际与存储芯片双突破
报告聚焦半导体国产化进入攻坚阶段,中芯国际2020Q1业绩超预期,N+1工艺媲美7nm,获大基金增资并上调资本开支至43亿美金;合肥长鑫19nm DRAM量产,长江存储128层QLC闪存突破;三安光电布局化合物半导体代工。外部极限施压下,国产化加速推进,看好产业链机遇。
报告聚焦半导体国产化进入攻坚阶段,中芯国际2020Q1业绩超预期,N+1工艺媲美7nm,获大基金增资并上调资本开支至43亿美金;合肥长鑫19nm DRAM量产,长江存储128层QLC闪存突破;三安光电布局化合物半导体代工。外部极限施压下,国产化加速推进,看好产业链机遇。
报告聚焦半导体国产化进入攻坚阶段,中芯国际2020Q1业绩超预期,N+1工艺媲美7nm,获大基金增资并上调资本开支至43亿美金;合肥长鑫19nm DRAM量产,长江存储128层QLC闪存突破;三安光电布局化合物半导体代工。外部极限施压下,国产化加速推进,看好产业链机遇。
报告聚焦半导体国产化进入攻坚阶段,中芯国际2020Q1业绩超预期,N+1工艺媲美7nm,获大基金增资并上调资本开支至43亿美金;合肥长鑫19nm DRAM量产,长江存储128层QLC闪存突破;三安光电布局化合物半导体代工。外部极限施压下,国产化加速推进,看好产业链机遇。核心数据:43亿美金;19nm;128层。
本报告由长江证券发布,发布于 2020 年。
覆盖 2020 年,全文约 32。
本报告免费查阅,登录资料宝后即可在线获取完整内容。
适合投资者、半导体行业从业者、电子元件企业高管等读者参考。
重点分析了管理咨询、电子元件、中芯国际、半导体等议题。