第三代半导体行业报告:碳化硅全产业链布局,国内厂商迎发展机遇
第三代半导体(SiC/GaN)凭高禁带宽度、高击穿电压等优势,将替代前两代材料。碳化硅功率器件市场2024年将达50亿美元,复合增速51%。国内厂商实现设备、衬底、外延、器件全产业链布局,自主可控能力增强。
第三代半导体(SiC/GaN)凭高禁带宽度、高击穿电压等优势,将替代前两代材料。碳化硅功率器件市场2024年将达50亿美元,复合增速51%。国内厂商实现设备、衬底、外延、器件全产业链布局,自主可控能力增强。
第三代半导体(SiC/GaN)凭高禁带宽度、高击穿电压等优势,将替代前两代材料。碳化硅功率器件市场2024年将达50亿美元,复合增速51%。国内厂商实现设备、衬底、外延、器件全产业链布局,自主可控能力增强。
第三代半导体(SiC/GaN)凭高禁带宽度、高击穿电压等优势,将替代前两代材料。碳化硅功率器件市场2024年将达50亿美元,复合增速51%。国内厂商实现设备、衬底、外延、器件全产业链布局,自主可控能力增强。核心数据:4亿美金;50亿美金。
本报告由光大证券发布,发布于 2020 年。
覆盖 2020 年,全文约 25。
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适合投资者、行业研究人员、科技爱好者等读者参考。
重点分析了新能源、新能源研究等议题。