2018年其他专用设备行业报告：CCZ新工艺革新，单晶硅设备高端力推产业升级

报告摘要

CCZ技术实现单晶硅生长重大突破，一炉可拉制8-10根晶棒，效率翻倍、成本大幅降低，且产品品质更优。长期困扰CCZ大规模生产的复投料与坩埚寿命问题已获突破，FBR颗粒料与高品质坩埚方案成熟。国外仅少数企业实现工业化，协鑫收购SunEdison资产后有望领跑国内，计划在云南建设20GW单晶硅产能。硅片厂产能竞赛开启，隆基2020年目标45GW，中环目标23GW，协鑫大举进军。据测算，1GW产能需100-125台硅生长炉，设备总值1.5-1.88亿元，加上辅助设备超2亿元，设备商将获订单快速增长。推荐天通股份、晶盛机电。适合光伏产业投资者、设备制造商、新能源分析师、行业战略规划师、证券公司研究员阅读。

📋 报告目录

1. CCZ技术优势明显是单晶硅片生长技术方向
2. RCZ是当前主流技术
3. CCZ技术成本及产品优势
4. CCZ技术突破与推广条件
5. 国内外竞争格局与协鑫布局
6. 硅片厂产能竞赛与设备商受益
7. 推荐标的与风险提示