氮化镓第三代半导体核心材料行业分析-海通证券2019报告
2019-12管理咨询11📊 海通证券免费
报告维度
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- 《有色金属行业:氮化镓,第三代半导体核心材料-海通证券-(1)》
- 🎯 适合读者
- 投资者行业研究人员电子从业者
- 📊 核心数据
- 328万
- 500万
- 112.6亿
- 🏷️ 核心议题
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氮化镓(GaN)作为第三代半导体核心材料,具有禁带宽、电子迁移率高、击穿场强高等优势,成本低且易于大规模产业化。报告指出,5G宏基站建设将拉动GaN射频器件需求,预计2023年基站端规模达112.6亿元。当前供给端集中于美欧日,国产替代空间大。