氮化镓第三代半导体核心材料行业分析-海通证券2019报告

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报告摘要

氮化镓(GaN)作为第三代半导体核心材料，具有禁带宽、电子迁移率高、击穿场强高等优势，成本低且易于大规模产业化。报告指出，5G宏基站建设将拉动GaN射频器件需求，预计2023年基站端规模达112.6亿元。当前供给端集中于美欧日，国产替代空间大。

氮化镓(GaN)作为第三代半导体核心材料，具有禁带宽、电子迁移率高、击穿场强高等优势，成本低且易于大规模产业化。报告指出，5G宏基站建设将拉动GaN射频器件需求，预计2023年基站端规模达112.6亿元。当前供给端集中于美欧日，国产替代空间大。核心数据:328万;500万;112.6亿。

本报告由海通证券发布,发布于 2019 年。

覆盖 2019 年,全文约 11。

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适合投资者、行业研究人员、电子从业者等读者参考。

重点分析了管理咨询、海通证券等议题。