氮化镓第三代半导体核心材料：5G基站与电源设备需求爆发

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📄 文件全名: 《有色金属行业：氮化镓，第三代半导体核心材料-海通证券》
🎯 适合读者: 投资者行业研究员半导体从业者
📊 核心数据: 328万座
500万座
112.6亿元
🏷️ 核心议题: #管理咨询#基站

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报告摘要

氮化镓(GaN)作为第三代半导体核心材料，凭借高禁带宽度、高电子迁移率等优势，在5G基站射频器件和电力电子领域需求旺盛。预计2023年基站端GaN射频器件规模达112.6亿元。海外厂商主导供给，我国企业需突破。

📋 核心要点(部分)

氮化镓：第三代半导体进行时
GaN供给：知名厂商集中海外
氮化镓在通讯基站领域的需求
电子电力器件：电源设备占主导

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