氮化镓第三代半导体核心材料：5G基站与电源设备需求爆发
氮化镓(GaN)作为第三代半导体核心材料，凭借高禁带宽度、高电子迁移率等优势，在5G基站射频器件和电力电子领域需求旺盛。预计2023年基站端GaN射频器件规模达112.6亿元。海外厂商主导供给，我国企业需突破。
报告摘要
氮化镓(GaN)作为第三代半导体核心材料，凭借高禁带宽度、高电子迁移率等优势，在5G基站射频器件和电力电子领域需求旺盛。预计2023年基站端GaN射频器件规模达112.6亿元。海外厂商主导供给，我国企业需突破。
核心要点
- 氮化镓：第三代半导体进行时
- GaN供给：知名厂商集中海外
- 氮化镓在通讯基站领域的需求
- 电子电力器件：电源设备占主导
报告信息
- 文件全名
- 《有色金属行业：氮化镓，第三代半导体核心材料-海通证券》
- 适合读者
- 核心数据
- 328万座
- 500万座
- 112.6亿元
- 核心议题
常见问题
《氮化镓第三代半导体核心材料：5G基站与电源设备需求爆发》主要包含哪些内容?
氮化镓(GaN)作为第三代半导体核心材料，凭借高禁带宽度、高电子迁移率等优势，在5G基站射频器件和电力电子领域需求旺盛。预计2023年基站端GaN射频器件规模达112.6亿元。海外厂商主导供给，我国企业需突破。核心数据:328万座;500万座;112.6亿元。
这份报告由哪家机构发布?
本报告由海通证券发布,发布于 2019 年。
这份报告覆盖哪一年、篇幅多大?
覆盖 2019 年,全文约 11。
这份报告是免费的吗?如何获取?
本报告免费查阅,登录资料宝后即可在线获取完整内容。
这份报告适合哪些读者?
适合投资者、行业研究员、半导体从业者等读者参考。
报告涉及哪些关键议题?
重点分析了管理咨询、基站等议题。
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