氮化镓第三代半导体核心材料：5G基站与电源设备需求爆发

2019-12管理咨询11📊 海通证券免费

📦 本报告属于月份合集

购买后将获得「2019 年 12 月报告合集」 · 共 2058 份报告打包下载链接

点击获取云盘下载链接

报告摘要

氮化镓(GaN)作为第三代半导体核心材料，凭借高禁带宽度、高电子迁移率等优势，在5G基站射频器件和电力电子领域需求旺盛。预计2023年基站端GaN射频器件规模达112.6亿元。海外厂商主导供给，我国企业需突破。

氮化镓(GaN)作为第三代半导体核心材料，凭借高禁带宽度、高电子迁移率等优势，在5G基站射频器件和电力电子领域需求旺盛。预计2023年基站端GaN射频器件规模达112.6亿元。海外厂商主导供给，我国企业需突破。核心数据:328万座;500万座;112.6亿元。

本报告由海通证券发布,发布于 2019 年。

覆盖 2019 年,全文约 11。

本报告免费查阅,登录资料宝后即可在线获取完整内容。

适合投资者、行业研究员、半导体从业者等读者参考。

重点分析了管理咨询、基站等议题。