第三代半导体GaN研究框架：5G与快充驱动，国产化进程加速

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报告摘要

本报告深度分析GaN（氮化镓）产业，从射频和功率器件两大方向解析市场机遇。5G基站推动GaN射频器件需求，快充市场引爆消费级GaN功率器件增长。国内厂商如三安光电、海特高新等加速产业化，2-3英寸衬底量产，6英寸产业化，8英寸研发中。

本报告深度分析GaN（氮化镓）产业，从射频和功率器件两大方向解析市场机遇。5G基站推动GaN射频器件需求，快充市场引爆消费级GaN功率器件增长。国内厂商如三安光电、海特高新等加速产业化，2-3英寸衬底量产，6英寸产业化，8英寸研发中。核心数据:2-3英寸。

本报告由方正证券发布,发布于 2020 年。

覆盖 2020 年,全文约 53。

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适合投资者、电子行业研究员、半导体工程师等读者参考。

重点分析了管理咨询、化进程加速、快充驱动、GaN等议题。